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绝缘半导体技术资料-绝缘体基片-具有半导体-制作有半导体-绝缘半导体-上应变半导体类资料（238元/全套）选购时请记住本套资料（光盘）售价：238元；资料（光盘）编号：F150881
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《绝缘半导体资料》包括专利技术全文资料277份。
0001)沸石溶胶及其制法、多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制法、层间绝缘膜和半导体装置
0011)绝缘栅型半导体元件的栅极电路
0012)具有形成在电容器上的可流动绝缘层的半导体装置及其制造方法
0013)应变半导体覆绝缘层型基底
0014)沉积方法、沉积设备、绝缘膜及半导体集成电路
0015)绝缘型大功率电力半导体模块
0016)具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法
0017)已处理的半导体晶片的固定的、绝缘的和导电的连接
0018)具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构
0019)具有金属－绝缘膜－半导体三层结构的晶体管的制造方法
0020)具有多栅极绝缘层的半导体装置及其制造方法
0021)半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法
0022)含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
0023)稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件
0024)金属(*)制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法
0026)具沟渠绝缘的半导体组件及其制造方法
0027)以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法
0028)完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
0029)绝缘栅型半导体装置、制造方法及保护电路
0030)绝缘栅型半导体器件
0031)绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法
0032)非绝缘式电力半导体模块
0033)用于半导体和功率模件的绝缘衬底板
0034)绝缘膜的形成方法及半导体器件的制造方法
0035)硅绝缘体结构半导体器件
0036)两侧绝缘体上半导体结构及其制造方法
0037)制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
0038)半导体均压合成绝缘子
0039)栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
0040)具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法
0041)在半导体衬底中建立高导电性埋入的侧面绝缘区域的方法
0042)半导体均压层和中导电性硅橡胶及制备合成绝缘子的工艺
0043)绝缘栅型半导体器件及其制法
0044)用于半导体器件的绝缘膜沉积方法
0045)微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构
0046)金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
0047)多孔膜形成用组合物、多孔膜制造法、多孔膜、层间绝缘膜及半导体装置
0048)具有绝缘栅极的半导体器件及其制造方法
0049)采用绝缘体(*)绝缘栅型半导体装置
0051)全包型陶瓷半导体绝缘加热装置
0052)与半导体上绝缘通孔中的铜金属化层接触的方法和结构
0053)包括金属(*)绝缘材料、布线板和半导体器件
0055)一种砷化镓基半导体(*)具金属(*)绝缘栅型半导体器件
0058)体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
0059)应变绝缘体上半导体材料及制造方法
0060)具有间断绝缘区的半导体IC器件及其制造方法
0061)半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属(*)半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
0063)使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法
0064)绝缘膜用材料，绝缘膜用罩光清漆,以及绝缘膜和采用该膜或该清漆的半导体装置
0065)半导体装置和“绝缘体上的半导体”衬底
0066)含有电路元件和绝缘膜的半导体模块及其制造方法以及其应用
0067)腐蚀绝缘层和制作半导体器件的工艺
0068)绝缘栅型半导体装置
0069)评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法
0070)半导体集成电路用绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
0071)一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
0072)形成半导体设备的绝缘层的方法
0073)绝缘体上半导体的衬底以及由该衬底所形成的半导体装置
0074)绝缘栅半导体器件
0075)包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜
0076)绝缘衬底和半导体器件
0077)金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
0078)贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
0079)包括金属(*)制造绝缘体上应变半导体衬底的方法
0081)半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
0082)绝缘体上半导体芯片
0083)绝缘体上半导体装置的制造方法
0084)绝缘栅功率半导体器件
0085)绝缘栅型半导体器件
0086)形成半导体器件中金属间绝缘层的方法
0087)具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件
0088)硅化物层和绝缘层之间不发生分离的半导体器件加工工艺
0089)多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制造方法、层间绝缘膜和半导体装置
0090)含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
0091)制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
0092)绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件
0093)采用局部绝缘体上半导体制作半导体器件的方法
0094)低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件
0095)含绝缘体的半导体装置及其制造方法
0096)绝缘栅型半导体装置及其制造方法
0097)包含金属(*)绝缘栅型半导体装置
0099)具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构
0100)耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
0101)埋置绝缘层上硅晶片顶层中制作有半导体元件的半导体器件的制造方法
0102)平面超薄绝缘体上半导体沟道MOSFET及其制造方法
0103)在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法
0104)场增强金属绝缘体(*)半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法
0106)“绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法
0107)包括阻挡绝缘层的半导体器件以及相关方法
0108)硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法
0109)一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构及制备工艺
0110)金属/绝缘体/金属电容结构的半导体装置
0111)超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
0112)内嵌导热绝缘体具散热片的新型半导体器件封装结构
0113)金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管
0114)具有不同厚度栅极绝缘膜的半导体器件的制造方法
0115)具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法
0116)具多厚度绝缘层上半导体的结构及其形成方法
0117)应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
0118)绝缘膜、半导体器件及其制造方法
0119)具有半绝缘性氧化锌半导体薄膜与硅的异质结的光敏二极管
0120)绝缘体上半导体装置和方法
0121)具有纵向金属绝缘物半导体晶体管的半导体器件及其制造方法
0122)绝缘膜的形成方法及其形成系统、半导体装置的制造方法
0123)绝缘层上有半导体的晶片
0146)通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
0156)绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
0157)绝缘半导体管壳
0158)具多厚度绝缘层上半导体的结构
0159)硅半导体二极管元件和芯片与绝缘胴体的结构及其制法
0160)多孔膜形成用组合物,多孔膜的制备方法,多孔膜、层间绝缘膜和半导体器件
0161)含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
0162)导电和绝缘准氧化锌衬底及垂直结构的半导体发光二极管
0163)绝缘栅半导体器件及其制造方法
0164)形成半导体基体上的绝缘膜的方法
0165)垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
0166)具有含氮栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法
0167)绝缘栅极型半导体装置
0168)薄型绝缘半导体之绝缘间隙壁
0169)生产具有半导体或绝缘体的金属复合团簇的方法及装置
0170)绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法
0171)含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
0172)具有沉积阻挡层的玻璃绝缘体上的半导体
0173)一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法
0174)具有铁电膜作为栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法
0175)包括绝缘膜的半导体器件及其制造方法
0176)具有元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法
0177)金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法
0178)含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法
0179)绝缘膜半导体装置及方法
0180)半导体装置及该半导体装置用绝缘衬底
0181)低消耗功率金属(*)具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法
0183)印刷电路板、半导体封装、基底绝缘膜以及互连衬底的制造方法
0184)具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
0185)绝缘栅极型半导体装置及其制造方法
0186)耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
0187)包含多孔绝缘材料的半导体器件及其制造方法
0188)为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件
0189)绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法
0190)绝缘膜以及半导体器件的制造方法
0191)绝缘栅型半导体装置
0192)电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法
0193)制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件
0194)绝缘体上半导体芯片及其制造方法
0195)带有相互电绝缘的连接元件的功率半导体模块
0196)场绝缘膜上表面平坦的半导体器件及其方法
0197)绝缘液体小片接合剂和半导体器件
0198)含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
0199)绝缘栅型双极型半导体装置
0200)利用浅沟槽绝缘方法绝缘半导体器件的方法
0201)含高介电常数绝缘膜的半导体设备和该设备的制造方法
0202)金属(*)在基板上形成绝缘膜的方法、半导体装置的制造方法和基板处理装置
0204)具有绝缘涂层的半导体片式器件及其制造方法
0205)绝缘栅型半导体装置
0206)贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液的方法
0207)具有栅极绝缘膜的半导体装置及其制造方法
0208)绝缘栅半导体器件及其新型自对准制造方法
0209)在绝缘体上制造应变结晶层的方法和半导体结构及得到的半导体结构
0210)半导体装置、电子系统、存储卡以及使引线绝缘的方法
0211)绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法
0212)形成多孔膜的组合物、多孔膜及其形成方法、层间绝缘膜和半导体器件
0213)耐热性树脂的预聚体,耐热性树脂,绝缘膜和半导体装置
0214)快速开关功率绝缘栅半导体器件
0215)评价用于半导体装置的绝缘膜的特性的方法以及形成该绝缘膜的方法
0216)具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法
0217)绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法
0218)具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件
0219)使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合物绝缘体、以及使用该化合物半导体和化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和储存器
0220)应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
0221)半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
0222)采用突变金属(*)制造过氧化物交联绝缘层和/或半导体层电缆的方法和设备
0224)绝缘膜形成材料,绝缘膜,形成绝缘膜的方法及半导体器件
0225)具有复合绝缘层的半导体封装结构
0226)图案化有机材料以同时形成绝缘体和半导体的方法以及由此制成的器件
0227)具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料
0228)集成半导体结构和应变绝缘硅的制造方法及应变绝缘硅
0229)抗高温应力的应力绝缘体上半导体结构
0230)可剥离半导体绝缘屏蔽
0231)具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法
0232)绝缘栅半导体器件及其制造方法
0233)含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件
0234)在半导体基片上形成沟槽绝缘的方法
0235)含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
0236)氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
0237)绝缘栅功率半导体的栅极驱动
0238)具有有机聚合物栅极绝缘层的有机半导体晶体管的制造方法
0239)半导体装置及互补型金属绝缘半导体逻辑电路
0240)绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
0241)“绝缘体上的硅”结构的半导体装置
0242)形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法
0243)具含纳米微粒绝缘层之半导体组件装置
0244)半导体或绝缘材料层的机械(*)具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
0246)有机绝缘膜、其制造方法、使用该有机绝缘膜的半导体器件及其制造方法
0247)应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法
0248)硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
0249)半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法
0250)作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的超低介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件
0251)半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置
0252)用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法
0253)输出电压检测电路、绝缘型开关电源及半导体器件
0254)绝缘栅型半导体装置
0255)具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构
0256)用于具有遵循表面轮廓的电绝缘材料层的功率半导体的布线工艺
0257)硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜
0258)具有注入漏极漂移区和厚底部氧化物的沟槽金属(*)绝缘栅型半导体器件及其制造方法
0260)对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法
0261)绝缘栅极半导体器件及其生产方法
0262)具有绝缘体上半导体（SOI）构造且在薄半导体层上包含超晶格的半导体器件及相关方法
0263)硅氧烷基的树脂和使用其制造的半导体器件的层间绝缘膜
0264)能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法
0265)金属氧化物半导体绝缘工艺
0266)形成半导体器件的层间绝缘膜的方法
0267)在绝缘膜上形成凹状图形的半导体装置及其制造方法
0268)一种砷化镓基半导体(*)绝缘横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）集成电路技术
0270)半导体器件用的绝缘薄膜
0271)表面覆有无机半导体纳米薄膜的瓷或玻璃绝缘子
0272)具有硅绝缘体区域和体区域的半导体装置及其制造方法
0273)生产高密度半导体功率器件的钴(*)半导体装置的具有低介电常数的绝缘层的淀积方法
0275)具有沟渠绝缘的半导体电路装置及其制造方法
0276)半导体元件及制造镶嵌结构中的金属绝缘金属电容的方法
0277)具有复合绝缘层的半导体封装结构
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