点击图片查看原图
多晶硅技术资料-多晶硅晶体管-避免多晶硅-晶粒多晶硅-金属诱导多晶硅-粗糙度的多晶硅类资料（398元/全套）选购时请记住本套资料（光盘）售价：398元；资料（光盘）编号：F150029
敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。
《多晶硅资料》包括专利技术全文资料538份。
0001)限定多晶硅图案的方法
0011)多晶硅化学气相沉积方法和装置
0012)多晶硅层的制作方法
0013)多晶硅太阳能发电并网装置
0014)多晶硅氢还原炉
0015)多晶硅氢还原炉的硅芯棒加热启动方法
0016)多晶硅棒及其制造方法
0017)高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
0018)一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
0019)具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
0020)N型掺杂多晶硅的制造方法
0021)形成多晶硅结构
0022)多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0023)多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置
0024)利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
0025)多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
0026)一种嵌入物包括碳化硅晶须的多成份碳化硅陶瓷
0027)去除多晶硅残留的方法
0028)具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0029)形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
0030)用于评估多晶硅薄膜的装置
0031)为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
0032)利用多晶硅区的I/O ESD保护的系统和方法
0033)一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置
0034)减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
0035)利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
0036)多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
0037)形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法
0038)用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
0039)低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0040)多晶硅太阳能发电并网装置
0041)为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
0042)多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
0043)液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0044)利用放热反应制备多晶硅的方法
0045)多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
0046)改进型多晶硅还原炉
0047)用于多晶体“碳头料”硅碳分离的腐蚀液及其制备方法
0048)多晶硅(*)一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法
0050)化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
0051)用于沉积多晶硅的CVD装置
0052)形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
0053)生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法
0054)多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
0055)自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用
0056)制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法
0057)改善栅极多晶硅层电阻值的方法
0058)低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元
0059)在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
0060)一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法
0061)采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
0062)薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
0063)具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
0064)玻璃衬底的预多晶硅被覆
0065)多晶硅的除硼方法
0066)具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
0067)多晶硅炉的喷嘴
0068)多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
0069)包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
0070)多晶硅薄膜的制造方法
0071)合成多晶硅原料三氯氢硅的方法
0072)测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
0073)多晶硅介质平坦化的方法
0074)由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
0075)用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
0076)精密多晶硅电阻器工艺
0077)一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法
0078)低温多晶硅薄膜晶体管
0079)低温多晶硅薄膜制作方法
0080)低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0081)多晶硅层的处理方法
0082)一种多晶硅电容耦合OTP器件及其制造方法
0083)单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
0084)非晶硅多结核电池
0085)一种在集成电路中使用α多晶硅的方法
0086)光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
0087)无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
0088)包含多晶硅的半导体器件及其制造方法
0089)低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法
0090)制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
0091)多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0092)低温多晶硅薄膜的制造方法
0093)一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法
0094)低温多晶硅驱动电路
0095)多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
0096)多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用
0097)多晶硅太阳电池绒面的制备方法
0098)利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
0099)直接沉积多晶硅的方法
0100)多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
0101)用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
0102)引入堆叠箱式电容单元的数兆位动态存储器的劈开－多晶硅CMOS工艺
0103)多晶硅薄膜的制造方法
0104)具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法
0105)高纯多晶硅的无损材料检测方法
0106)多层外延硅单结晶晶片制造方法及多层外延硅单结晶晶片
0107)基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
0108)利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法
0109)多晶硅栅层的沉积方法
0110)由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
0111)多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
0112)多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0113)制造多晶硅层的方法
0114)一种太阳能级多晶硅的生产方法
0115)避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
0116)在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
0117)用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法
0118)多晶硅铸锭炉的炉体保护装置
0119)将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜
0120)多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0121)多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
0122)多晶硅化钨栅极的制造方法
0123)基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层
0124)低温多晶硅薄膜制造方法
0125)硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜
0126)多晶硅的制造方法和装置以及太阳能电池用硅基片的制造方法
0127)提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
0128)用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e(*)多晶硅铸锭炉的硅液溢流保护系统
0130)三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法
0131)具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0132)用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
0133)非晶硅（多晶硅）家用小型太阳能发、用电装置
0134)多晶硅液晶显示器件的制造方法
0135)低温多晶硅薄膜电晶体的结构
0136)多晶硅细脉熔丝
0137)一种制作多晶硅发射极界面层的方法
0138)一种多晶锗硅肖特基二极管
0139)提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法
0140)彩色多晶硅微粒及其制备方法
0141)在集成电路上制造互连的多晶硅对多晶硅低电阻接触方法
0142)多晶硅刻蚀腔体
0143)在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法和装置
0144)适用于低压常规电源加热启动的多晶硅氢还原炉
0145)尤其在闪存中用于刻蚀多晶硅上钨硅化物的方法
0146)多孔硅层结构的晶体硅太阳电池
0147)一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法
0148)廉价多晶硅薄膜太阳电池
0149)单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
0150)多晶硅层的制作方法
0151)半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法
0152)一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
0153)一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
0154)一种包括碳化硅晶须的多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0155)低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0156)用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
0157)超厚多晶硅回刻的方法
0158)用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
0159)多晶硅薄膜的制造方法
0160)叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
0161)多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
0162)带有多晶硅场板的功率MOS场效应管及其制造方法
0163)用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法
0164)通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法
0165)具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法
0166)具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
0167)多晶硅氢还原炉
0168)表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
0169)多晶硅铸锭炉的热场结构
0170)具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
0171)一种生产多晶硅用的还原炉
0172)多晶硅氢还原炉
0173)一种单层多晶硅栅OTP器件及其形成方法
0174)一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0175)形成多晶硅锗层的方法
0176)一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
0177)用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
0178)单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法
0179)形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
0180)一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
0181)耐高温多晶碳化硅纤维的制备方法
0182)多晶硅硅化物电熔丝器件
0183)具有发射极多晶硅源/漏区的EEPROM单元的制造
0184)硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法
0185)制备多晶硅的方法
0186)形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
0187)MTV播放器低温多晶硅显示装置
0188)多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0189)15(*)低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0191)一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
0192)一种制备多晶硅的方法
0193)多晶硅界定阶跃恢复器件
0194)单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法
0195)蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
0196)半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0197)一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
0198)内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
0199)用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
0200)多晶硅薄膜的制造方法
0201)P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺
0202)多晶硅的制备
0203)形成多晶硅层的方法
0204)多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
0205)多晶硅刻蚀的方法
0206)改善多晶硅缺陷的方法
0207)三维多晶硅只读存储器及其制造方法
0208)制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
0209)具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
0210)在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
0211)用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
0212)多晶硅薄膜的制作方法
0213)制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置
0214)轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
0215)用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
0216)制作低温多晶硅薄膜的方法
0217)低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
0218)一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
0219)多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
0220)应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
0221)一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
0222)多晶硅锭制造装置
0223)激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
0224)供高温力学量传感器用的纳米多晶硅(*)使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置
0226)多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
0227)多晶硅片水基清洗剂
0228)制备多晶硅颗粒的方法和装置
0229)低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
0230)一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
0231)利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
0232)低温多晶硅显示装置
0233)多晶硅氢还原炉测温视镜结构
0234)用于静电放电保护的改善多晶硅(*)具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
0236)一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
0237)具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
0238)降低多晶硅层洞缺陷的方法
0239)多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
0240)多晶硅电阻及其制造方法
0241)由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
0242)用于在直拉法生长的硅晶体中得到低电阻率的多级砷掺杂法
0243)高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法
0244)双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
0245)多晶硅薄膜及其组件的制备方法
0246)具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
0247)低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0248)低温多晶硅有机电激发光装置的制法
0249)多晶硅膜的制造方法
0250)多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
0251)一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法
0252)一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
0253)具有P＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
0254)用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
0277)基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法
0287)避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
0288)表面加工多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试方法
0289)激光薄膜多晶硅退火光学系统
0290)在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
0291)多晶硅冶炼用调压变压器
0292)低温多晶硅薄膜晶体管全集成有源选址基板及制备方法
0293)形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
0294)多晶硅原料低能耗提纯制备方法
0295)一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
0296)量测多晶硅线底部形状的方法
0297)具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
0298)在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
0299)利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
0300)一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
0301)多晶硅氢还原炉
0302)采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法
0303)降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
0304)一种嵌入物包括碳化硅晶片的多成份碳化硅陶瓷
0305)一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
0306)评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
0307)超小粒径多晶硅的结构和方法
0308)形成多晶硅薄膜的方法
0309)形成多晶硅薄膜装置的方法
0310)多晶硅炉观察装置
0311)制造多晶硅层的方法及其光罩
0312)低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0313)制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
0314)双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法
0315)多孔结晶硅酸盐的非原位固态磷活化
0316)铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法
0317)改进的多晶硅－硅化物
0318)气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
0319)一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
0320)一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
0321)单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的制造方法
0322)多晶硅氢还原炉进气喷口
0323)多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置
0324)形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
0325)一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
0326)多晶硅膜的形成方法
0327)多晶硅氢还原炉
0328)多层铁硅铝磁合金膜以及铁硅铝磁合金籽晶层
0329)一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
0330)多晶硅太阳能电池织构层的制备方法
0331)浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
0332)多晶硅铸锭炉的炉体保护装置
0333)薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
0334)单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置
0335)一种防止硅片在生长多晶过程中产生崩边的石英舟
0336)多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
0337)利用氧化物与多晶硅隔离垫制造高密度集成电路的方法
0338)由多孔性硅石玻璃坯体制造具有结晶区的硅石玻璃坩埚的方法
0339)过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
0340)多晶硅层的结晶方法
0341)制备大面积多晶硅方法
0342)多晶硅的定向生长方法
0343)一种无需移动部件的多晶硅分凝铸锭炉
0344)多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
0345)修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法
0346)单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
0347)利用双多晶硅的位线注入
0348)多晶硅薄膜晶体管
0349)一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
0350)半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
0351)多层非晶硅的制造方法
0352)用于LCD或OELD的具有多栅极结构的结晶硅TFT板
0353)制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具
0354)绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
0355)高纯度多结晶硅的制造方法及制造装置
0356)具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
0357)用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法
0358)有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法
0359)高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法
0360)一种DRAM的多晶硅栅极制作方法
0361)闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法
0362)低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
0363)多晶硅层及其制造方法
0364)多晶硅氢还原炉
0365)一种制备太阳能级多晶硅的方法
0366)集成于绝缘衬底上外延硅薄板上的多晶锗基波导检测器
0367)适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极
0368)在半导体装置中形成多晶硅层的方法
0369)用多晶硅原料制备熔硅的方法
0370)挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅
0371)一种单层多晶硅栅MTP器件及其制造方法
0372)高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
0373)太阳能等级多晶硅的制备方法
0374)多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法
0375)利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法
0376)低温多晶硅薄膜的制造方法
0377)低温多晶硅薄膜晶体管基板
0378)多晶硅氢还原炉
0379)用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
0380)多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法
0381)基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
0382)形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
0383)采用梯度降温的多晶硅精铸锭炉
0384)用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器
0385)薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
0386)多晶硅栅表面的清洗方法
0387)多晶硅薄膜的制备方法
0388)多晶硅定向凝固下拉晶体生长的重心驱动传动机构
0389)用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
0390)利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
0391)一种锌还原法生产多晶硅的工艺
0392)使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
0393)一种消除多晶硅刻蚀过程出现缝隙的方法
0394)多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
0395)多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
0396)多晶(*)改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
0398)半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
0399)蘸取式多晶硅太阳能电池p(*)可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅(*)多晶硅板制备方法
0402)具有多晶硅薄膜的半导体器件
0403)一种嵌入物包括纤维、晶须的多成份碳化硅陶瓷
0404)多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
0405)非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用
0406)多晶硅、其生产方法及生产装置
0407)薄膜晶体管的多晶硅制造方法
0408)用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液
0409)用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法
0410)制作多晶硅薄膜的方法
0411)多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
0412)70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
0413)形成T型多晶硅栅极的方法
0414)多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
0415)多晶硅的制造方法
0416)具有多晶硅层的显示面板及其制造方法
0417)激光薄膜多晶硅退火系统
0418)一种包括晶须、纤维的多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0419)多晶硅的等离子生产方法及其装置
0420)一种单层多晶硅栅可编程器件及其形成方法
0421)带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
0422)光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
0423)多晶硅薄膜晶体管制造方法
0424)连续制备多晶高纯硅颗粒的方法
0425)制作多晶硅薄膜的方法
0426)一种多晶锗硅薄膜的制备方法
0427)溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
0428)一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备
0429)多晶硅铸锭炉的热场结构
0430)半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
0431)多晶硅铸锭炉用石墨坩锅
0432)多晶硅铸锭炉的硅液溢流保护系统
0433)稳定的多晶硅电阻器和制造它的方法
0434)低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
0435)具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法
0436)一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
0437)具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元
0438)多晶硅化学机械抛光液
0439)多晶硅的生产装置
0440)激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
0441)多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
0442)具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法
0443)多晶硅自对准插塞的制作方法
0444)多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
0445)横向多晶硅PIN二极管及其制造方法
0446)将非晶硅转换为多晶硅的方法
0447)多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
0448)一种多晶锗硅薄膜的制备方法
0449)有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法
0450)多晶硅的制造方法
0451)制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法
0452)减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
0453)用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
0454)以高纯石英砂为原料生产太阳能级多晶硅的方法
0455)用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
0456)在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置
0457)多晶硅间介电层的制造方法
0458)有双重冷却系统的多晶硅还原炉
0459)二氧化硅多孔晶体的制造方法
0460)形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
0461)双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法
0462)低温多晶硅平面显示面板
0463)一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法
0464)低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
0465)增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法
0466)一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
0467)一次可生产多根硅芯及其它晶体材料的高频线圈
0468)具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
0469)用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
0470)制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
0471)制造内层多晶硅介电层的方法
0472)具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
0473)一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
0474)低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
0475)高能束流多晶硅提纯装置
0476)具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
0477)梯形多晶硅插塞及其制造方法
0478)多晶硅(*)一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法
0480)太阳能级多晶硅大锭的制备方法
0481)一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
0482)多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
0483)使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
0484)具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
0485)平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0486)制备多晶硅用铸锭炉
0487)底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0488)多晶硅的评价方法
0489)集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法
0490)多晶硅薄膜太阳能电池专用设备
0491)形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
0492)注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
0493)用于多晶硅铸锭工艺的石墨加热器
0494)低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0495)一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
0496)多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
0497)电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
0498)一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
0499)以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
0500)一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法
0501)用于在衬底上淀积多晶硅层的装置
0502)用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法
0503)多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
0504)一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法
0505)多晶硅栅极掺杂方法
0506)一种功率型多晶硅发射极晶体管
0507)倾倒式多晶硅真空拉锭炉
0508)制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法
0509)形成具有多晶硅(*)低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
0511)一种一次可生产多根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
0512)多晶硅二极管的静电放电保护装置
0513)利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
0514)一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
0515)用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
0516)一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
0517)多用途多晶硅边缘测试结构
0518)多晶硅晶棒的制造方法
0519)多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
0520)一种太阳能电池用多晶硅制造方法
0521)闪存装置制造中用于多晶硅(*)去除多晶硅残留的方法
0523)多晶硅膜的形成方法
0524)采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法
0525)具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
0526)多晶硅的蚀刻方法
0527)光罩与应用其形成多晶硅层的方法
0528)多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0529)一种多晶硅存储元件及其制备方法
0530)形成多晶硅薄膜的方法
0531)监控两层多晶硅叠栅未对准的方法
0532)用高密度等离子氧化层作为多晶硅层间绝缘层的分隔栅的构成
0533)多晶硅薄膜的制造方法
0534)多晶硅棒及其加工方法
0535)择优取向的多晶硅薄膜的制备方法
0536)包括低温多晶硅薄膜晶体管的影像显示系统及其制造方法
0537)多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置
0538)一种多晶硅刻蚀的方法
查询更多技术请点击：
中国创新技术网（http://www.887298.com）
金博专利技术网（http://www.39aa.net）
金博技术资料网（http://www.667298.com）
购买操作说明（点击或复制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）
本部（辽宁日经咨询有限公司技术部）拥有各种专利技术、技术文献、论文资料近20万套500多万项，所有专利技术资料均为国家发明专利、实用新型专利和科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式，没有录像及视频），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费）。
(1)、银行汇款：本套资料标价(是网传价，不包含邮费，如邮寄光盘加收15元快递费，快递公司不能到达的地区加收22元的邮政特快专递费)汇入下列任一银行帐号（需带身份证），款到发货！
中国农业银行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中国邮政银行:602250302200014417 收款人: 王雷
中国建设银行：0600189980130287777 收款人: 王雷
中国工商银行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中国 银行：418330501880227509 户 名：王雷
欢迎通过淘宝、有啊、拍拍等第三方平台交易，请与QQ：547978981联系办理。
邮局地址汇款：117002辽宁省本溪市溪湖顺山科报站 收款人: 王雷
汇款后请用手机短信（13050204739或13941407298）通知，告诉所需技术光盘名称、编号、数量及收货人姓名、邮政编码和详细地址。（如需网传请告邮箱地址或QQ号）
单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）
地址：辽宁省本溪市溪湖顺山科报站
联系人：王雷老师
电 话：0414-2114320 3130161
手 机：13941407298
客服QQ：547978981 824312550 517161662
货到付款：办理货到付款业务请与QQ：547978981联系。
本公司经营技术，质量保证，欢迎咨询洽谈。
